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SIHA6N65E-E3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
SIHA6N65E-E3 Image
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Descripción del producto

Número de pieza: SIHA6N65E-E3
Fabricante / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Especificaciones: SIHA6N65E-E3.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 78717 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 78717 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de SIHA6N65E-E3

Número de pieza SIHA6N65E-E3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 78717 pcs Ficha de datos SIHA6N65E-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220 Full Pack
Serie E RDS (Max) @Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo) 31W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650V Descripción detallada N-Channel 650V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI ORDENA UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos integrados, Protección de circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FedEx www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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