SIDR680DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIDR680DP-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V
Especificaciones:	SIDR680DP-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	73647 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73647 pcs

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Especificaciones de SIDR680DP-T1-GE3

Número de pieza	SIDR680DP-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 80V	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	73647 pcs	Ficha de datos	SIDR680DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8DC
Serie	TrenchFET® Gen IV	RDS (Max) @Id, Vgs	2.9 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	6.25W (Ta), 125W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8	Otros nombres	SIDR680DP-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5150pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	105nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32.8A (Ta), 100A (Tc)

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Especificaciones

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