SI9933CDY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI9933CDY-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Especificaciones:	SI9933CDY-T1-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	221388 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 221388 pcs

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Especificaciones de SI9933CDY-T1-E3

Número de pieza	SI9933CDY-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	221388 pcs	Ficha de datos	SI9933CDY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Potencia - Max	3.1W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI9933CDY-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 10V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A
Número de pieza base	SI9933

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