SI5415EDU-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI5415EDU-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
Especificaciones:	SI5415EDU-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	226761 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 226761 pcs

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Especificaciones de SI5415EDU-T1-GE3

Número de pieza	SI5415EDU-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	226761 pcs	Ficha de datos	SI5415EDU-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® ChipFet Single
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	9.8 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 31W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® ChipFET™ Single	Otros nombres	SI5415EDU-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	120nC @ 8V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

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