SI4914BDY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4914BDY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4914BDY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	90243 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 90243 pcs

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Especificaciones de SI4914BDY-T1-GE3

Número de pieza	SI4914BDY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	90243 pcs	Ficha de datos	SI4914BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.7V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	LITTLE FOOT®	RDS (Max) @Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Potencia - Max	2.7W, 3.1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4914BDY-T1-GE3TR SI4914BDYT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.4A, 8A	Número de pieza base	SI4914

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