SI4466DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4466DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4466DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4068 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4068 pcs

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Especificaciones de SI4466DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4466DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4068 pcs	Ficha de datos	SI4466DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	9 mOhm @ 13.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.5W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)

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