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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Número de pieza | SI4425DDY-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 162562 pcs | Ficha de datos | SI4425DDY-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 9.8 mOhm @ 13A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | SI4425DDY-T1-GE3-ND SI4425DDY-T1-GE3TR SI4425DDYT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2610pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 19.7A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| UPS | www.UPS.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| TNT | www.TNT.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
