SI4210DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI4210DY-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Especificaciones:	SI4210DY-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	202062 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 202062 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.107

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Especificaciones de SI4210DY-T1-GE3

Número de pieza	SI4210DY-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	202062 pcs	Ficha de datos	SI4210DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	2.7W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SI4210DY-T1-GE3-ND SI4210DY-T1-GE3TR SI4210DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	445pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2.7W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A	Número de pieza base	SI4210

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