SI1069X-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI1069X-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
Especificaciones:	SI1069X-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	184864 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 184864 pcs

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Especificaciones de SI1069X-T1-GE3

Número de pieza	SI1069X-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	184864 pcs	Ficha de datos	SI1069X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-89-6
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	184 mOhm @ 940mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	236mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	SI1069X-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	308pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.86nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

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Especificaciones

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