IRF640STRLPBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRF640STRLPBF
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Especificaciones:	IRF640STRLPBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	86613 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86613 pcs

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Especificaciones de IRF640STRLPBF

Número de pieza	IRF640STRLPBF	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	86613 pcs	Ficha de datos	IRF640STRLPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (D²Pak)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 130W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	IRF640STRLPBF-ND IRF640STRLPBFTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	70nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

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