2N7002K-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	2N7002K-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Especificaciones:	2N7002K-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1573156 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1573156 pcs

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Especificaciones de 2N7002K-T1-GE3

Número de pieza	2N7002K-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1573156 pcs	Ficha de datos	2N7002K-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-236
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	2N7002K-T1-GE3-ND 2N7002K-T1-GE3TR 2N7002KT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)

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