EPC2012

EPC

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Descripción del producto

Número de pieza:	EPC2012
Fabricante / Marca:	EPC
Descripción del producto	TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Especificaciones:	EPC2012.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	35238 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35238 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.065

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Especificaciones de EPC2012

Número de pieza	EPC2012	Fabricante	EPC
Descripción	TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	35238 pcs	Ficha de datos	EPC2012.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+6V, -5V
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)	Paquete del dispositivo	Die
Serie	eGaN®	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
La disipación de energía (máximo)	-	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	Die	Otros nombres	917-1017-6
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	145pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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