ZXMHC6A07T8TA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMHC6A07T8TA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Especificaciones:	ZXMHC6A07T8TA.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	57944 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57944 pcs

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Especificaciones de ZXMHC6A07T8TA

Número de pieza	ZXMHC6A07T8TA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	57944 pcs	Ficha de datos	ZXMHC6A07T8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SM8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Potencia - Max	1.3W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-223-8	Otros nombres	ZXMHC6A07T8TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	166pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.2nC @ 10V	Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A, 1.3A
Número de pieza base	ZXMHC6A07T8

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