Diodes Incorporated| Número de pieza | HTMN5130SSD-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 85075 pcs | Ficha de datos | HTMN5130SSD-13.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max | 1.7W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 218.7pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.9nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
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|---|---|---|
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