DMN3900UFA-7B

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN3900UFA-7B
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Especificaciones:	DMN3900UFA-7B.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	536927 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 536927 pcs

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Especificaciones de DMN3900UFA-7B

Número de pieza	DMN3900UFA-7B	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	536927 pcs	Ficha de datos	DMN3900UFA-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id	950mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	X2-DFN0806-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	760 mOhm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	390mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	3-XFDFN	Otros nombres	DMN3900UFA-7BTR DMN3900UFA7B
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	42.2pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	550mA (Ta)

Modo de transporte
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