DMN2080UCB4-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMN2080UCB4-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-
Especificaciones:	DMN2080UCB4-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	448388 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 448388 pcs

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Especificaciones de DMN2080UCB4-7

Número de pieza	DMN2080UCB4-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	448388 pcs	Ficha de datos	DMN2080UCB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	X2-WLB0808-4
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	56 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	710mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-XFBGA, WLBGA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

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