DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMHC3025LSDQ-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Especificaciones:	DMHC3025LSDQ-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	150757 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150757 pcs

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Especificaciones de DMHC3025LSDQ-13

Número de pieza	DMHC3025LSDQ-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	150757 pcs	Ficha de datos	DMHC3025LSDQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	1.5W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	DMHC3025LSDQ-13DITR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A, 4.2A

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Después de las ventas
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