DMG4N60SJ3

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG4N60SJ3
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET NCH 600V 3A TO251
Especificaciones:	DMG4N60SJ3.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	82792 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 82792 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de DMG4N60SJ3

Número de pieza	DMG4N60SJ3	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET NCH 600V 3A TO251	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	82792 pcs	Ficha de datos	DMG4N60SJ3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	41W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	30 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	532pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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