DMG4466SSSL-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG4466SSSL-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Especificaciones:	DMG4466SSSL-13.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	264547 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 264547 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de DMG4466SSSL-13

Número de pieza	DMG4466SSSL-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	264547 pcs	Ficha de datos	DMG4466SSSL-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	23 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.42W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	DMG4466SSSL-13DITR DMG4466SSSL13
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	478.9pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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