DMG3N60SCT

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG3N60SCT
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Especificaciones:	DMG3N60SCT.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	61952 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 61952 pcs

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Especificaciones de DMG3N60SCT

Número de pieza	DMG3N60SCT	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	61952 pcs	Ficha de datos	DMG3N60SCT.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	104W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Tiempo de entrega estándar del fabricante	22 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Tc)

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