| Número de pieza | CY7C1041D-10VXI | Fabricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6019 pcs | Ficha de datos | CY7C1041D-10VXI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns | Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous | Paquete del dispositivo | 44-SOJ |
| Serie | - | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 428-1975-5 CY7C1041D-10VXI-ND CY7C1041D10VXI |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ | Número de pieza base | CY7C1041 |
| Tiempo de acceso | 10ns |
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|---|---|---|
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