C2M0080170P

Cree Wolfspeed

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Descripción del producto

Número de pieza:	C2M0080170P
Fabricante / Marca:	Cree Wolfspeed
Descripción del producto	ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Especificaciones:	C2M0080170P.pdf
Condición de stock	2237 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2237 pcs

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Especificaciones de C2M0080170P

Número de pieza	C2M0080170P	Fabricante	Cree Wolfspeed
Descripción	ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	2237 pcs	Ficha de datos	C2M0080170P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 10mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	TO-247-4L
Serie	C2M™	RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 28A, 20V
La disipación de energía (máximo)	277W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-247-4
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	Not Applicable	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	120nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1700V	Descripción detallada	N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)

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