CDBGBSC20650-G

Comchip Technology

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Descripción del producto

Número de pieza:	CDBGBSC20650-G
Fabricante / Marca:	Comchip Technology
Descripción del producto	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Especificaciones:	CDBGBSC20650-G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	19920 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19920 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1020 pcs: $1.863

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Especificaciones de CDBGBSC20650-G

Número de pieza	CDBGBSC20650-G	Fabricante	Comchip Technology
Descripción	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	19920 pcs	Ficha de datos	CDBGBSC20650-G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.7V @ 10A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	650V
Paquete del dispositivo	TO-247	Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	0ns
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento - Junction	-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky	configuración de diodo	1 Pair Common Cathode
Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Through Hole TO-247-3	Corriente - Fuga inversa a Vr	100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	33A (DC)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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