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Central Semiconductor
| Número de pieza | CDM22010-650 SL | Fabricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 10A 650V TO220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 64260 pcs | Ficha de datos | CDM22010-650 SL.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | 30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 156W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | Otros nombres | CDM22010-650 SL PBFREE CDM22010-650 SL-ND CDM22010-650SL |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1168pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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