BDW83B

Central Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BDW83B
Fabricante / Marca:	Central Semiconductor
Descripción del producto	POWER TRANSISTOR NPN TO218
Especificaciones:	BDW83B.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4112 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4112 pcs

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Especificaciones de BDW83B

Número de pieza	BDW83B	Fabricante	Central Semiconductor
Descripción	POWER TRANSISTOR NPN TO218	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4112 pcs	Ficha de datos	BDW83B.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	80V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	-
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-218
Serie	-	Potencia - Max	130W
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	TO-218-3
Temperatura de funcionamiento	-	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición	-	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 6A, 3V	Corriente - corte del colector (Max)	-
Corriente - colector (Ic) (Max)	15A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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