1N4150 TR

Central Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N4150 TR
Fabricante / Marca:	Central Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Especificaciones:	1N4150 TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	526990 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 526990 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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10 pcs: $0.14

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Especificaciones de 1N4150 TR

Número de pieza	1N4150 TR	Fabricante	Central Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	526990 pcs	Ficha de datos	1N4150 TR.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1V @ 200mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	50V
Paquete del dispositivo	DO-35	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	6ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	DO-204AH, DO-35, Axial
Otros nombres	1N4150 CT 1N4150 CT-ND 1N4150CSCT	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 200°C
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	21 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr	100nA @ 50V	Corriente - rectificada media (Io)	200mA
Capacitancia Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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