BAS16-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	BAS16-E3-08
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Especificaciones:	BAS16-E3-08.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2795691 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2795691 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.013

6000 pcs: $0.012

15000 pcs: $0.01

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Especificaciones de BAS16-E3-08

Número de pieza	BAS16-E3-08	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2795691 pcs	Ficha de datos	BAS16-E3-08.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	150mA
Tensión - Desglose	SOT-23	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistencia @ Si, F	4pF @ 0V, 1MHz	Polarización	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	BAS16-E3-08TR BAS16-V-GS08 BAS16-V-GS08-ND BAS16-V-GS08TR BAS16-V-GS08TR-ND BAS16VGS08	Temperatura de funcionamiento - Junction	6ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks	Número de pieza del fabricante	BAS16-E3-08
Descripción ampliada	Diode Standard 75V 150mA Surface Mount SOT-23	configuración de diodo	1µA @ 75V
Descripción	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.25V @ 150mA
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	75V	Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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