| Número de pieza | BLP8G05S-200Y | Fabricante | Ampleon |
|---|---|---|---|
| Descripción | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo por exención / Cumple con RoHS por exención |
| cantidad disponible | 1998 pcs | Ficha de datos | 1.BLP8G05S-200Y.pdf2.BLP8G05S-200Y.pdf |
| Voltaje - Prueba | 28V | Tensión - Calificación | 65V |
| Tipo de transistor | LDMOS (Dual), Common Source | Paquete del dispositivo | 4-HSOPF |
| Serie | - | Alimentación - Salida | 210W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-1138-2 |
| Otros nombres | 1603-1047-2 934069547518 BLP8G05S-200Y-ND |
Figura de ruido | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 13 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption | Ganancia | 21dB |
| Frecuencia | 440MHz | Descripción detallada | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 4-HSOPF |
| Valoración actual | - | Corriente - Prueba | 2mA |
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|---|---|---|
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