AOV11S60

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOV11S60
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Especificaciones:	1.AOV11S60.pdf 2.AOV11S60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	87644 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87644 pcs

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3500 pcs: $0.439

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Especificaciones de AOV11S60

Número de pieza	AOV11S60	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	87644 pcs	Ficha de datos	1.AOV11S60.pdf 2.AOV11S60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-DFN-EP (8x8)
Serie	aMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	500 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	8.3W (Ta), 156W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-PowerTSFN	Otros nombres	785-1683-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	650mA (Ta), 8A (Tc)

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