AOU7S65

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	AOU7S65
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Especificaciones:	1.AOU7S65.pdf 2.AOU7S65.pdf 3.AOU7S65.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5824 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5824 pcs

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Especificaciones de AOU7S65

Número de pieza	AOU7S65	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A TO251	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5824 pcs	Ficha de datos	1.AOU7S65.pdf 2.AOU7S65.pdf 3.AOU7S65.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251-3
Serie	aMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	650 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	89W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	785-1523-5 AOU7S65-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	434pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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