AOTF12T60PL

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOTF12T60PL
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Especificaciones:	1.AOTF12T60PL.pdf 2.AOTF12T60PL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66642 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66642 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de AOTF12T60PL

Número de pieza	AOTF12T60PL	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66642 pcs	Ficha de datos	1.AOTF12T60PL.pdf 2.AOTF12T60PL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3F
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	520 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	35W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	785-1692-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2028pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	50nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3F	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

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