AOT412

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AOT412
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Especificaciones:	1.AOT412.pdf 2.AOT412.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	65304 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65304 pcs

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Especificaciones de AOT412

Número de pieza	AOT412	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 100V 60A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	65304 pcs	Ficha de datos	1.AOT412.pdf 2.AOT412.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	SDMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	15.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.6W (Ta), 150W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	785-1241-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	54nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A (Ta), 60A (Tc)

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