AON6532P

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AON6532P
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CH DFN
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5256 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5256 pcs

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Especificaciones de AON6532P

Número de pieza	AON6532P	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CH DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5256 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	710mV @ 1A	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	4.1 mOhm @ 20A, 10V	La disipación de energía (máximo)	35.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 68A (Tc) 35.5W (Tc) Surface Mount	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	68A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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