AON6162

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AON6162
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
Especificaciones:	AON6162.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	82945 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 82945 pcs

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Especificaciones de AON6162

Número de pieza	AON6162	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	82945 pcs	Ficha de datos	AON6162.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-DFN (5x6)
Serie	AlphaSGT™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	215W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerSMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4850pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 100A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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