| Número de pieza | AOK18N65L | Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 30461 pcs | Ficha de datos | 1.AOK18N65L.pdf2.AOK18N65L.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-247 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 390 mOhm @ 9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 417W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Otros nombres | 785-1456-5 785-1456-5-ND 785-1589-5 AOK18N65 AOK18N65L-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3785pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 68nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 18A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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|---|---|---|
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