AS4C4M16D1-5TCN

Alliance Memory, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AS4C4M16D1-5TCN
Fabricante / Marca:	Alliance Memory, Inc.
Descripción del producto	IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Especificaciones:	AS4C4M16D1-5TCN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4063 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 4063 pcs

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Especificaciones de AS4C4M16D1-5TCN

Número de pieza	AS4C4M16D1-5TCN	Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Descripción	IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4063 pcs	Ficha de datos	AS4C4M16D1-5TCN.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	15ns	Suministro de voltaje	2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología	SDRAM - DDR	Paquete del dispositivo	66-TSOP II
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	Otros nombres	1450-1007
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	64Mb (4M x 16)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	DRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II	Frecuencia de reloj	200MHz
Tiempo de acceso	700ps

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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