Alliance Memory, Inc.| Número de pieza | AS4C128M8D1-6TINTR | Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3157 pcs | Ficha de datos | AS4C128M8D1-6TINTR.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR | Paquete del dispositivo | 66-TSOP II |
| Serie | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 1450-1393 1450-1393-2 1450-1393-ND AS4C128M8D1-6TINTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descripción detallada | SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II |
| Frecuencia de reloj | 166MHz | Tiempo de acceso | 700ps |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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