ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	ALD212908ASAL
Fabricante / Marca:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Especificaciones:	ALD212908ASAL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	24905 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24905 pcs

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Especificaciones de ALD212908ASAL

Número de pieza	ALD212908ASAL	Fabricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	24905 pcs	Ficha de datos	ALD212908ASAL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	20mV @ 10µA	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	EPAD®, Zero Threshold™	RDS (Max) @Id, Vgs	-
Potencia - Max	500mW	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	10.6V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80mA

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Después de las ventas
Especificaciones

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