WPB4002

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	WPB4002
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Especificaciones:	WPB4002.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5226 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5226 pcs

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Especificaciones de WPB4002

Número de pieza	WPB4002	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5226 pcs	Ficha de datos	WPB4002.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3PB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	360 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 220W (Tc)	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	84nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 23A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3PB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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