STDV5804NT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	STDV5804NT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
Especificaciones:	STDV5804NT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	123840 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 123840 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.184

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Especificaciones de STDV5804NT4G

Número de pieza	STDV5804NT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 40V 69A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	123840 pcs	Ficha de datos	STDV5804NT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	8.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	71W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	STDV5804NT4G STDV5804NT4G-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 69A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	69A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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