SSU1N60BTU-WS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSU1N60BTU-WS
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
Especificaciones:	SSU1N60BTU-WS.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	224795 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224795 pcs

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Especificaciones de SSU1N60BTU-WS

Número de pieza	SSU1N60BTU-WS	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	224795 pcs	Ficha de datos	SSU1N60BTU-WS.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 28W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	SSU1N60BTU_WS SSU1N60BTU_WS-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)

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