SI3443DV

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI3443DV
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
Especificaciones:	SI3443DV.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	301608 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 301608 pcs

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Especificaciones de SI3443DV

Número de pieza	SI3443DV	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	301608 pcs	Ficha de datos	SI3443DV.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-SSOT
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	65 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	SI3443DVFSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

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Especificaciones

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