NVR5198NLT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVR5198NLT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23
Especificaciones:	NVR5198NLT3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	404897 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 404897 pcs

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Especificaciones de NVR5198NLT3G

Número de pieza	NVR5198NLT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	404897 pcs	Ficha de datos	NVR5198NLT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	155 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	900mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	NVR5198NLT3G-ND NVR5198NLT3GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	182pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.1nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A (Ta)

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