NVMFS5A160PLZWFT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVMFS5A160PLZWFT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	-60V7.7MOHMSINGLE
Especificaciones:	NVMFS5A160PLZWFT3G.pdf
Condición de stock	64411 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64411 pcs

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Especificaciones de NVMFS5A160PLZWFT3G

Número de pieza	NVMFS5A160PLZWFT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	-60V7.7MOHMSINGLE	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	64411 pcs	Ficha de datos	NVMFS5A160PLZWFT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.6V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	7.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.8W (Ta), 200W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7700pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	160nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 15A (Ta), 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta), 100A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos integrados, Protección de circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FedEx	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS	www.UPS.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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