NVMFS4C302NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVMFS4C302NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	NFET SO8FL 30V 1.15MO
Especificaciones:	NVMFS4C302NT1G.pdf
Condición de stock	72884 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72884 pcs

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Especificaciones de NVMFS4C302NT1G

Número de pieza	NVMFS4C302NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	NFET SO8FL 30V 1.15MO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	72884 pcs	Ficha de datos	NVMFS4C302NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	1.15 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.75W (Ta), 115W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks	Estado sin plomo	Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5780pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	82nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 43A (Ta), 241A (Tc) 3.75W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	43A (Ta), 241A (Tc)

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