NVJS4405NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVJS4405NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88
Especificaciones:	NVJS4405NT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	552419 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 552419 pcs

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Especificaciones de NVJS4405NT1G

Número de pieza	NVJS4405NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	552419 pcs	Ficha de datos	NVJS4405NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	350 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	630mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	13 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

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