NVGS3443T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVGS3443T1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP
Especificaciones:	NVGS3443T1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	320458 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 320458 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de NVGS3443T1G

Número de pieza	NVGS3443T1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	320458 pcs	Ficha de datos	NVGS3443T1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	6-TSOP	Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	65 mOhm @ 4.4A, 4.5V	La disipación de energía (máximo)	-
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-23-6
Otros nombres	NVGS3443T1G-ND NVGS3443T1GOSTR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	30 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	565pF @ 5V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 3.1A (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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