NVE4153NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVE4153NT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
Especificaciones:	NVE4153NT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	330266 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 330266 pcs

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Especificaciones de NVE4153NT1G

Número de pieza	NVE4153NT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	330266 pcs	Ficha de datos	NVE4153NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±6V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-89
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	230 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	300mW (Tj)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-89, SOT-490	Otros nombres	NVE4153NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.82nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	915mA (Ta)

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