NVC3S5A51PLZT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NVC3S5A51PLZT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Especificaciones:	NVC3S5A51PLZT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	206618 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206618 pcs

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Especificaciones de NVC3S5A51PLZT1G

Número de pieza	NVC3S5A51PLZT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	206618 pcs	Ficha de datos	NVC3S5A51PLZT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.6V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	3-CPH
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	250 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.2W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	NVC3S5A51PLZT1G-ND NVC3S5A51PLZT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	262pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)

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