NTTS2P02R2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTTS2P02R2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Especificaciones:	NTTS2P02R2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4373 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4373 pcs

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Especificaciones de NTTS2P02R2G

Número de pieza	NTTS2P02R2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4373 pcs	Ficha de datos	NTTS2P02R2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Micro8™
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	780mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Otros nombres	NTTS2P02R2GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 16V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)

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